Hiszpanie chcą się włamać do samochodu
17 lipca 2013, 17:38Przed miesiącem w wypadku samochodowym w Los Angeles zginął Michael Hasting, dziennikarz pisma Rolling Stone. Świadkowie zeznali, że jego auto wydawało się pędzić z maksymalną prędkością, a gdy uderzyło w drzewo, siła zderzenia była tak wielka, iż silnik przeleciał kilkadziesiąt metrów.
100 USD zysku z każdego iPoda
25 września 2007, 09:38Z doniesień iSuppli wynika, że najnowszy, rozbudowany iPod Nano zapewnia Apple’owi spory margines zysku. Firma analityczna wylicza, że wyprodukowanie jednego nowego iPoda wyposażonego w 4 gigabajty pamięci i wyświetlacz kosztuje 58,85 USD.
TSMC wybuduje fabrykę 3-nanometrowych układów scalonych
3 października 2017, 09:43TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.) oznajmiło, że wybuduje pierwszą na świecie fabrykę produkującą układy scalone w technologii 3 nanometrów. Zakład powstanie w Tainan Science Park na południu Tajwanu
Chip sam się organizuje
16 marca 2010, 13:16W niedalekiej przyszłości podzespoły elektroniczne mogą stać się tak małe, że umieszczenie ich na układzie scalonym będzie stanowiło poważne wyzwanie. Jednym z pomysłów na zaradzenie temu problemowi jest tworzenie chipów z molekuł, które samodzielnie będą układały się w pożądane wzory.
Po USA Japonia, TSMC zapowiada budowę kolejnej fabryki
18 października 2021, 10:36Firma Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. (TSMC), największy na świecie producent układów scalonych na zlecenie, poinformowała, że wybuduje fabrykę półprzewodników w Japonii. To już druga tego typu zapowiedź w ostatnim czasie. Przed kilkoma miesiącami TSMC ogłosiła, że zainwestuje 12 miliardów dolarów w budowę nowej fabryki w Arizonie.
Mały Hynix
5 grudnia 2006, 09:30Hynix Semiconductor opracował najmniejszą i najszybszą kość DRAM o pojemności 512 megabitów. Układ przeznaczony jest dla urządzeń przenośnych.
Chińska hybryda przyspiesza tranzystory
12 sierpnia 2013, 11:43Naukowcy z chińskiego Uniwersytetu Fudan opisali w magazynie Science technologię umożliwiającą przyspieszenie tranzystorów. Chińczycy wpadli na pomysł połączenia tranzysotrów MOSFET z tunelowymi tranzystorami polowymi (TFET). Taka hybryda ma zużywać mniej prądu, a przy tym pracować szybciej
Bardzo gęste flesze
13 grudnia 2007, 00:04O kolejnym osiągnięciu, dzięki któremu powstaną jeszcze nowocześniejsze pamięci krzemowe, informuje firma Toshiba. Opracowana przez nią struktura z podwójną warstwą tunelowania umożliwi budowanie pamięci flash w technologii 10 nm. Tak duża gęstość upakowania elementów (najnowocześniejsze obecnie mikroprocesory wykonane są w technologii 45 "aż" nanometrów) pozwoli budować układy pamięci flash o pojemności nawet 100 Gbit (12,5 gigabajta).
Rekordowe wzrosty sprzedaży półprzewodników
3 października 2017, 13:24Po raz pierwszy w historii miesięczna wartość sprzedanych układów scalonych przekroczyła 35 miliardów dolarów. Rekord padł w sierpniu i był poprzedzony 12-miesięcznym ciągłym wzrostem wartości sprzedaży, informuje Semiconductor Industry Association (SIA).
Zbudują fabrykę memrystorów
1 września 2010, 16:04HP poinformowało o podpisaniu porozumienia z koreańską firmą Hynix Semiconductor, które przewiduje budowę fabryki memrystorów. Zakład ma rozpocząć produkcję w 2013 roku.
« poprzednia strona następna strona » 1 2 3 4 5 6 7 8 9
